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HC3600M 一盘3000，品质保证，货源充足，量大价格更实惠
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深圳惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能高。
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
型号:HC3600M参数：30V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容445pF， 封装：贴片（SOT23-3），低开启电压1.5V，低结电容，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
更多型号如下：
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装，汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V50A SOP-8封装
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V15A 15N06 TO-252封装
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 60V6A SOT23-3封封装
型号：HC080N06LSS N沟道场效应管 60V10A SOP-8封装
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装
100V40A (40N10)TO-252封装
型号：HC160N10LS N沟道场效应管 100V5A (5N10)SOT23-3封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
100V6A (6N10)SOT23-3封装
100V4A (4N10)SOT23-3封装
100V3A (3N10)SOT23-3封装
型号：HC240N15L N沟道 150V8A（8N15）TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
150V2A（2N15）SOT23-3封装
100V5A 5N10，100V2A 2N10，100V3A 3N10 ,100V4A 4N10，SOT23-3封装
2301 2300 2302 3400 3401 3402 30V8A MOS管 SOT2303
10N10 15N10 17N10 25N10 30N10 40N10 35N10 2N10 3N10 4N10 5N10 6N10
15N06 20N06 25N06 30N06 35N06 40N06 50N06
30N03
10N15 15N15
3400 3402 3600
OC5011 OC5021 LN2576 PT4121 FP 7175 FP7176 FP7171 FP7179 SQ9910 HV9910 SMD802专用MOS管
型号太多，无法一一列出来，具体可以上惠海半导体网看或者来电，给您带来不便敬请谅解，谢谢
东莞市惠海半导体有限公司
惠海半导体专业中低压MOS管行业10年，经验丰富，实力雄厚，惠海，可以做月结30天，惠海半导体是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商
我们的优势：厂家直销，价格优惠，货源充足，品质保证
Mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
当MOS电容的栅极（Gate）相对于衬底（BACKGATE）正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道（channel）。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。